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Affichage 21 articles: SPA11N65C3 à SPM836EW3 (Page 341 sur 485)

Transistor SPA11N65C3
SPA11N65C3
13.78€ TTC
102 En stock
102 En stock

Transistor SPA11N65C3 N-MOS 650V 11A/33Ap. 33W 0.34R(7A)TO220F. Cool MOS Power Transistor. ID puls: 33A. td(on) 10nS. td(off) 44nS. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220FP-3-1: Fully isolated package (2500 VAC; 1m. Tension de Drain maxi: 650 V.

 
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Tarifs dégressifs

Transistor SPA11N80C3
SPA11N80C3
11.26€ TTC
316 En stock
316 En stock

Transistor SPA11N80C3 N-MOS 800V 11A/33Ap. 41W 0.39R(7.1A)TO220F. Cool MOS Power Transistor. ID puls: 33A. td(on) 25nS. td(off) 72nS. Constructeur: INF. Boîtier: TO-220FP-3-1: Fully isolated package (2500 VAC; 1m. Tension de Drain maxi: 800 V.

 
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Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N SPA16N50C3
SPA16N50C3
9.97€ TTC
53 En stock
53 En stock

Transistor MOSFET canal-N 560V 16A/48Ap 34W. Résistance passante RDSon : 0.25 Ohms (10A)

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SPB32N03L
SPB32N03L
3.25€ TTC
221 En stock
221 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 32A. Puissance: 100W. Rds <0.028 Ohm. SIPMOS Power Transistor. Logic Level Power MOSFET. Boîtier: TO-263 (D2Pak).

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SPB56N03L
SPB56N03L
3.53€ TTC
285 En stock
285 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 56A. Puissance: 120W. SIPMOS Power Transistor. Logic Level Power MOSFET. Boîtier: TO-263 (D2Pak).

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SPB80N04S2-H4
SPB80N04S2-H4
5.26€ TTC
58 En stock
58 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 40V 80A/320Ap 300W 0.0034R. Constructeur: Infineon Technologies. Code constructeur: Q67060-S6013. Marquage boîtier: 2N04H4. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: D2PAK (TO-263). Boîtier: TO263. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 40V. Id(T:25): 80A. Puissance: 300 W. Id(imp): 320 Ap. I

 
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Tarifs dégressifs

Transistor SPD08N50C3
SPD08N50C3
6.94€ TTC
88 En stock
88 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 560V. Courant de drain maxi: 7.6A. Puissance: 83W. Rds<0.5 Ohm. Cool MOS Power-Transistor. Boîtier: TO-252 (D-Pak).

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SPD08P06P
SPD08P06P
4.03€ TTC
92 En stock
92 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 60V. Courant de drain maxi: 8.8A. Puissance: 42W. Résistance passante (Rds)<0.23 Ohms. Boîtier: TO-252 (D-Pak).

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SPD09N05
SPD09N05
3.70€ TTC
455 En stock
455 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 55V. Courant de drain maxi: 9.2A. Puissance: 24W. Rds<0.093 Ohm. SIPMOS Power-Transistor. Boîtier: TO-252 (D-Pak).

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SPD28N03L
SPD28N03L
3.58€ TTC
344 En stock
344 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 30A. Puissance: 75W. Rds<0.023 Ohm. SIPMOS Power Transistor. Logic Level Power MOSFET. Boîtier: TO-252 (D-Pak).

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor SPI07N60C3
SPI07N60C3
7.50€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Transistor SPI07N60C3 N-MOS 650V 7.3A 83W<0.54R(4.6A). Cool MOS Power Transistor. ID puls: 21.9A. Constructeur: INF. Boîtier: TO-262 (I2-PAK). Tension de Drain maxi: 650 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 7.3 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 4.6 A.

 
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Circuit intégré SPK102T
SPK102T
21.67€ TTC
3 En stock
3 En stock

Circuit intégré SPK102T. RGB SPOT KILLER HYBRID. Boîtier: 6p. CHASS: S53A. IC505. Constructeur: SAMSUNG.

 
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Circuit intégré SPM175ER
SPM175ER
59.14€ TTC
10 En stock
10 En stock

Circuit intégré SPM175ER. SAA5291PS-097 SPM-175ER. Boîtier: DIP-52. IC901. TXT. Constructeur: SAMSUNG.

 
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Circuit intégré SPM197EER
SPM197EER
56.78€ TTC
2 En stock
2 En stock

Circuit intégré SPM197EER. SAA5291PS-030 SPM197EER. Boîtier: DIP-52.

 
 
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Circuit intégré SPM197ER
SPM197ER
36.74€ TTC
22 En stock
22 En stock

Circuit intégré SPM197ER. SAA5291PS-032 SPM-197ER. Boîtier: DIP-52. SAMSUNG

 
 
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Tarifs dégressifs

Circuit intégré SPM802EE
SPM802EE
34.72€ TTC
26 En stock
26 En stock

Circuit intégré SPM802EE. PROC. Boîtier: DIP-64. TDA9351PS/N2/3/0457. TXT. Constructeur: SAMSUNG.

 
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Circuit intégré SPM802EE6
SPM802EE6
60.93€ TTC
Actuellement en rupture de stock
Actuellement en rupture de stock

Circuit intégré SPM802EE6. PROC. Boîtier: DIP-64. TDA9351PS/N3/3/1616. TDA9351PS/N3. Constructeur: SAMSUNG. AA09-00474A

 
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Circuit intégré SPM802EW3
SPM802EW3
77.22€ TTC
1 En stock
1 En stock

Circuit intégré SPM802EW3. PROC. Boîtier: DIP-64. TDA9351PS/N2/3I0897. Constructeur: SAMSUNG.

 
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Circuit intégré SPM802EW5
SPM802EW5
63.67€ TTC
4 En stock
4 En stock

Circuit intégré SPM802EW5. PROC. Boîtier: DIP-64. TDA9381PS/N2/3/1320. SAMSUNG. CB21N112TZ. Constructeur: SAMSUNG.

 
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Circuit intégré SPM802EWN4
SPM802EWN4
57.06€ TTC
7 En stock
7 En stock

Circuit intégré SPM802EWN4. PROC. Boîtier: DIP-64. TDA9381PS/N2/3I1002. TXT. Constructeur: SAMSUNG.

 
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Circuit intégré SPM836EW3
SPM836EW3
64.57€ TTC
1 En stock
1 En stock

Circuit intégré SPM836EW3. PROC. Boîtier: DIP-64. TDA9594PS/N1/4I1405. SAMSUNG. TDA9594PS/N1. Constructeur: SAMSUNG.

 
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© Avtronic. Tous droits réservés. Avtronic - LE SERBON A EV. Numéro d'enregistrement: HU49342471. Dirigeant: Arnaud LE SERBON